仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Central Semiconductor |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | Die |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 20pF @ 20V |
| 電圧 - 絶縁破壊 (V(BR)GSS) | 40 V |
| 消費電流 (Id) - 最大 | 50 mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V |
| パワー - 最大 | 1.8 W |
| 抵抗 - RDS(オン) | 60 Ohms |
| 電圧 - カットオフ (VGS オフ) @ ID | 2 V @ 1 nA |
| 電流 - ドレイン (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 25 mA @ 20 V |