仕様
PDF(1)
タイプ | 説明 |
製造元 | Diotec Semiconductor |
シリーズ | - |
パッケージ | バルク |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | P-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
消費電力(最大) | 52W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.2V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-QFN (3x3) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 10V |
Vgs (最大) | ±12V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6850 pF @ 10 V |