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  • 部品番号 DI110N03PQ-AQ
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 IC
    カプセル化 バルク
    数量 200
    価格 $0.6100
    RoHS状態 NO
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元Diotec Semiconductor
    シリーズ-
    パッケージバルク
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケース8-PowerTDFN
    取付タイプSurface Mount
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C110A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs2.65mOhm @ 20A, 10V
    消費電力(最大)35W (Tc)
    Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 250µA
    サプライヤーデバイスパッケージ8-QFN (5x6)
    学年Automotive
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
    Vgs (最大)±20V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs14 nC @ 4.5 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1860 pF @ 15 V
    資格AEC-Q101