title
  • image of シングルFET、MOSFET>IPD35N10S3L26ATMA2
  • image of シングルFET、MOSFET>IPD35N10S3L26ATMA2
  • 部品番号 IPD35N10S3L26ATMA2
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 MOSFET_(75V 120V(
    カプセル化 テープ&リール(TR)
    数量 200
    価格 $0.6800
    RoHS状態 YES
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元IR (Infineon Technologies)
    シリーズ-
    パッケージテープ&リール(TR)
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケースTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
    取付タイプSurface Mount
    動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
    テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C35A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs24mOhm @ 35A, 10V
    消費電力(最大)71W (Tc)
    Vgs(th) (最大) @ ID2.4V @ 39µA
    サプライヤーデバイスパッケージPG-TO252-3-11
    学年Automotive
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
    Vgs (最大)±20V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs39 nC @ 10 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds2700 pF @ 25 V
    資格AEC-Q101