仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 200-TFBGA |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| メモリー容量 | 2Gbit |
| メモリの種類 | Volatile |
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 電圧 - 電源 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| テクノロジー | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| クロック周波数 | 1.6 GHz |
| メモリフォーマット | DRAM |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 200-TFBGA (10x14.5) |
| 学年 | Automotive |
| 書き込みサイクル タイム - ワード、ページ | 18ns |
| メモリインターフェース | LVSTL |
| アクセス時間 | 3.5 ns |
| 記憶の構成 | 128M x 16 |
| DigiKey プログラム可能 | Not Verified |
| 資格 | AEC-Q100 |