仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 14000pF @ 40V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | APM12-CBA |
| 学年 | Automotive |
| 資格 | AEC-Q100 |