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  • 部品番号 TK190E65Z,S1X
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
    カプセル化 チューブ
    数量 315
    価格 $2.0600
    RoHS状態 YES
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    シリーズ-
    パッケージチューブ
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケースTO-220-3
    取付タイプThrough Hole
    動作温度150°C
    テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C15A (Ta)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs190mOhm @ 7.5A, 10V
    消費電力(最大)130W (Tc)
    Vgs(th) (最大) @ ID4V @ 610µA
    サプライヤーデバイスパッケージTO-220
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
    Vgs (最大)±30V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs25 nC @ 10 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1370 pF @ 300 V