仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| シリーズ | DTMOSIV |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | 150°C |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 150mOhm @ 7.5A, 10V |
| 消費電力(最大) | 180W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 1.2mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±30V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2400 pF @ 300 V |