仕様
PDF(1)
タイプ | 説明 |
製造元 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
シリーズ | - |
パッケージ | チューブ |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | TO-220-3 Full Pack |
取付タイプ | Through Hole |
動作温度 | 150°C |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.5Ohm @ 2A, 10V |
消費電力(最大) | 35W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 400µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220SIS |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
Vgs (最大) | ±30V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 800 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 650 pF @ 25 V |