仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 4-VSFN Exposed Pad |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間 (trr) | 0 ns |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 静電容量 @ Vr、F | 778pF @ 1V, 1MHz |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 12A |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 650 V |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.35 V @ 12 A |
| 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 120 µA @ 650 V |