仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | 175°C |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 21mOhm @ 50A, 18V |
| 消費電力(最大) | 431W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 11.7mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4L(X) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V |
| Vgs (最大) | +25V, -10V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 158 nC @ 18 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6000 pF @ 800 V |